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电子元器件详细资料 » IC[18380] » FDC6561AN
型号:FDC6561AN类别:FET - 阵列制造商:Fairchild Semiconductor
封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6描述:MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6
系列PowerTrench®
制造商Fairchild Semiconductor
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C95 毫欧 @ 2.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs3.2nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds220pF @ 15V
功率_最大700mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装6-SSOT
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
深圳市川蓝电子科技有限公司彭小姐0755-82522939
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
中科航芯(深圳)科技有限公司李18927479189
深圳青禾创新科技有限公司曾先生086-0755-82778126
深圳市裕硕科技有限公司雷小姐086-0755-23613962/82706142
深圳市中新永盛科技有限公司朱小姐0755-83242762 83211840
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深圳市科翼源电子有限公司朱小姐13510998172
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FDC6561AN相关型号

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