型号:FDC6561AN | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Fairchild Semiconductor |
封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 | 描述:MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6 |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6 |
系列 | PowerTrench® |
制造商 | Fairchild Semiconductor |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 2.5A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 95 毫欧 @ 2.5A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 3.2nC @ 5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 220pF @ 15V |
功率_最大 | 700mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商设备封装 | 6-SSOT |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
深圳市川蓝电子科技有限公司 | 彭小姐0755-82522939 |
深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
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